Ring Groove SiC Wafer Chuck—環槽碳化硅晶圓卡盤

環槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圓卡盤是面向高溫、高功率制程與極限重復性需求的一種工程化夾持方案。采用碳化硅材料并在接觸面設計環形槽道，可同時解決熱管理、受力均勻性和顆粒污染三大痛點，提高良率與設備穩定性。

材料與優勢

碳化硅（SiC）兼具高熱導、低熱膨脹和高剛性，適用于外延生長、退火、擴散與功率器件制程中的高溫工況。與常規金屬或氧化鋁陶瓷相比，SiC 在熱循環后變形小、耐磨損、化學穩定性好，能顯著降低晶圓翹曲與熱應力不均問題

環槽設計原理

環槽（Ring-Groove）通過在卡盤接觸面布置同心環形槽道，優化真空/靜電通道路徑與接觸壓力分布。設計要點包括：

• 環槽位置與寬深比按晶圓尺寸與夾持方式匹配，避免邊緣應力集中；

• 真空通道與排氣口布局應保證整個晶圓受力均勻且易于脫附；

• 在高溫工況下，環槽有助于熱流分布均勻、減少局部過熱。

加工與制造要點

SiC 為硬脆材料，加工需采用金剛石刀具或精密磨削工藝，注意點包括：

• 粗精加工分步進行以降低殘余應力；

• 表面粗糙度與平面度按工藝要求定制（示例指標：平面度可達0.01 mm 級，表面粗糙度 Ra0.1µm 以下，具體按設備/工藝調整）；

• 加工后需做嚴格清洗（超聲、去離子水、必要時化學處理）以及熱循環穩定性測試。

典型應用場景

環槽式碳化硅卡盤適用于外延（Epi）工藝、CMP 前后夾持、高溫退火與功率器件制程平臺，尤其在需要長時間高溫穩定夾持且對翹曲敏感的場合效果顯著，為高溫與高精度制程提供了穩定、可重復的夾持基礎。

環槽碳化硅晶圓卡盤制造商

環槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圓卡盤結合 SiC 的高熱導與低熱膨脹特性，通過同心環槽優化真空路徑與受力分布，顯著降低晶圓翹曲并提升高溫制程重復性。適配外延（EPI）、退火與功率器件制程，支持定制化環槽幾何與真空通道布局，歡迎索取技術參數表或預約樣件測試。

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