隨著電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、核電、太陽(yáng)能以及航海、航空、航天、高鐵交通等能源領(lǐng)域的不斷發(fā)展，我們對(duì)電力設(shè)備的性能有了更高的要求。 然而，目前以硅材料為基礎(chǔ)的第一代半導(dǎo)體材料已經(jīng)接近其性質(zhì)所決定的理論極限。   第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的帶寬、更高的擊穿電