
| 產品名稱 | 石英蝕刻環(Quartz Etch Ring) | 
                        
| 加工精度 | ±0.05 mm | 
| 是否定制 | 是 | 
| 粗糙度 | Ra0.2 μm | 
| 材料成分 | 石英 | 
| 我要定制 | 按客戶需求接受定制;歡迎來廠參觀! | 
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石英蝕刻環(Quartz Etch Ring)
石英蝕刻環(Quartz Etch Ring)是半導體刻蝕設備中極為關鍵的工藝部件之一,主要用于等離子體刻蝕(Plasma Etching)及深反應離子刻蝕(ICP、RIE、DRIE)等制程中。其主要作用是輔助維持腔體內電場與氣流分布的均勻性,保護電極及腔體邊緣,確保晶圓(Wafer)在刻蝕過程中的刻蝕速率與均勻性達到穩定可控的水平。該零部件通常安裝于下電極(ESC,Electrostatic Chuck)或晶圓外圍區域,形成與晶圓邊緣匹配的環形結構。
石英蝕刻環一般由高純度熔融石英(Fused Quartz,純度≥99.99% SiO?)制成,外形呈圓環狀,其內徑與晶圓外徑緊密配合(如200 mm、300 mm等),外徑略大于晶圓尺寸。主要功能如下:
電場與等離子體分布調控:蝕刻環通過調整邊緣電場強度與氣體流場,改善晶圓邊緣刻蝕不均問題,提升整體刻蝕均勻性。
腔體保護作用:防止等離子體直接轟擊電極、腔體或靜電吸盤邊緣,減少金屬顆粒污染及部件侵蝕。
熱傳導與機械支撐:在晶圓裝夾過程中起到輔助支撐作用,維持晶圓平整度及穩定的熱傳導環境。
污染控制:高純石英材質避免金屬雜質擴散或顆粒脫落,確保制程潔凈度符合Class 1級別以上要求。
石英蝕刻環的性能高度依賴其原材料純度與加工精度。制造要求如下:
材料純度:采用高純度熔融石英,金屬雜質含量小于10 ppm,以避免等離子體刻蝕過程中產生微粒污染。
表面質量:加工后需進行超聲波清洗與化學拋光處理,表面粗糙度Ra應小于0.2 μm,以減少氣體滯留和顆粒生成。
尺寸精度:內外徑公差需控制在±0.05 mm以內,平整度控制在0.02 mm以內,確保與晶圓及ESC的精確貼合。
耐腐蝕性與熱穩定性:石英材料需能承受氟基、氯基等高活性氣體(如CF?、SF?、Cl?等)的長期作用,并在300~500°C高溫下保持結構穩定與尺寸不變形。
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